- Graben im Silicium
- Graben m im Silicium ME silicon trench
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik. 2013.
Graben im Silicium
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Schwarzes Silicium — (englisch black silicon) ist eine Oberflächenmodifikation des kristallinen Siliciums. Dabei entstehen durch hochenergetischen Beschuss durch Ionen oder ultrakurzer Laserpulse nadelförmige Strukturen auf der Oberfläche, die die Reflexion des… … Deutsch Wikipedia
remplissage des rainures isolantes en V par silicium polycristallin — izoliavimo V griovelių užpildymas polikristaliniu siliciu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V groove isolation polycrystal backfill vok. Ausfüllen von V Gräben mit isolierendem Polysilizium, n rus. заполнение V образных… … Radioelektronikos terminų žodynas
technique d'isolation par rainures en V à silicium polycristallin — izoliavimo polikristalinio silicio V grioveliais būdas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V groove isolation polycrystal backfill technique vok. Polysilizium V Graben Isolationstechnik, f rus. способ изоляции V образными… … Radioelektronikos terminų žodynas
substrat en silicium à rainures en V — silicio padėklas su V grioveliais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V groove silicon substrate vok. V Graben Siliziumsubstrat, n rus. кремниевая подложка с V образными канавками, f pranc. substrat en silicium à rainures en V,… … Radioelektronikos terminų žodynas
Ausfüllen von V-Gräben mit isolierendem Polysilizium — izoliavimo V griovelių užpildymas polikristaliniu siliciu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V groove isolation polycrystal backfill vok. Ausfüllen von V Gräben mit isolierendem Polysilizium, n rus. заполнение V образных… … Radioelektronikos terminų žodynas
Polysilizium-V-Graben-Isolationstechnik — izoliavimo polikristalinio silicio V grioveliais būdas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V groove isolation polycrystal backfill technique vok. Polysilizium V Graben Isolationstechnik, f rus. способ изоляции V образными… … Radioelektronikos terminų žodynas
V-Graben-Siliziumsubstrat — silicio padėklas su V grioveliais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V groove silicon substrate vok. V Graben Siliziumsubstrat, n rus. кремниевая подложка с V образными канавками, f pranc. substrat en silicium à rainures en V,… … Radioelektronikos terminų žodynas
LOCOS-Prozess — LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an… … Deutsch Wikipedia
LOCOS — LOCOS, kurz für Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an ausgewählten Stellen… … Deutsch Wikipedia
Mikrotechnik: Typische Herstellungsverfahren — Den Unterschied zwischen Mikroelektronik und Mikrotechnik kann man am ehesten anhand der Idee einer implantierbaren Medikamenten Mikrodosierpumpe aufzeigen. Diese soll möglichst klein sein und bei Bedarf beispielsweise Insulin an den Körper… … Universal-Lexikon
Advanced Silicon Etching — Reaktives Ionentiefenätzen (engl. Deep Reactive Ion Etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (das… … Deutsch Wikipedia
